合肥工业大学博士后，方向为宽禁带半导体功率器件可靠性研究。
1、参与2019年广东省科技厅第三代半导体重大科技专项《碳化硅晶片、功率器件和高频电能变换关键技术研发及产业化》科研工作，主导项目新产品碳化硅SBD、MOSFET的测试分析工作。
2、主持制定企业检测标准4个：《碳化硅场效应晶体管动态检测技术规范》、《碳化硅场效应晶体管静态检测技术规范》、《碳化硅肖特基势垒二极管动态检测技术规范》、《碳化硅肖特基势垒二极管静态检测技术规范》。
3、参与制定国家第三代半导体产业技术产新战略联盟团体标准《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法》、 《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法》。
